Dispositivos

Los temas de investigación del área de ingeniería de dispositivos del INTECIN se centran en estudiar los efectos generados por la radiación sobre los dispositivos Metal Oxido Semiconductor (MOS) y su utilización para estimar dosis.
Los campos de aplicación donde los efectos de la radiación son aprovechados son, por ejemplo, la Industria nuclear, las terapias oncológicas y la esterilización de alimentos o instrumentos quirúrgicos. Efectos indeseados de la radiación son la degradación de circuitos electrónicos, o el daño de tejidos en personas. Todos estos contextos evidencian la necesidad de poder estimar y controlar la dosis de radiación absorbida en cada una de las aplicaciones. Para ello es necesario la existencia de un sensor de dosis de radiación, conocido como dosímetro.
Los efectos provocados por la exposición a radiación ionizante de estructuras MOS repercuten sobre las características eléctricas de los dispositivos que conforman. Las variaciones de estas características pueden ser utilizadas para estimar dosis absorbida, lo cual da origen a la Dosimetría MOS.
Las investigaciones pueden dividirse en dos bloques:
Área Física: 1) Efectos de radiación en estructuras MOS, 2) Caracterización de estructuras MOS fabricadas con óxidos de alto K.
Área Ingeniería: 1) Uso de dispositivos MOS como dosímetros de alta y bajas dosis, 2) Diseño de instrumentación
para dosimetría, 3) Diseño de circuitos integrados para su uso como sensores de radiación, 4) Diseño de circuitos integrados resistentes a la radiación
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS – MICROELECTRÓNICA (SEDE PC)

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